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12N65L-TF1-T
12N65L-TF1-T（ML)场效应管(MOSFET)
TO-220F-1
12A、650V直流功率
罗斯ON<0.85欧姆@VGs=10V，lo=6.0A超低栅极电荷(典型42nC)低反向传输电容
MMBTA92
MMBTA92芯片,三级管IC,UTC高压PNP晶体管
SOT-23
发射极电压:Vceo=-300V
发射极电压:Vceo=-300V集电极损耗:PcrMAX)=350mW
UP1753G-AA3-R
NPN 集射极击穿电压(Vceo)：100V 集电极电流(Ic)：6A 功率(Pd)：800mW NPN,Vceo=100V,Ic=6A
SOT-223
3-8.5V
三极管(BJT)
UT3404G-AE3-R
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA N沟 30V 5.8A
SOT-23-3
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W
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