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2N7002G-AE2-R场效应管(MOSFET)
场效应晶体管科泰微科技2N7002G-AE2-R,场效应管(MOSFET) N沟道 60V/300mA,连续漏极电流(Id)：300mA ,功率(Pd)：200mW ,导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@300m,10V ,阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,7.5Ω@10V
场效应晶体管
- 型号： 2N7002G-AE2-R
- 功能介绍： 2N7002G-AE2-R场效应管(MOSFET) N沟道 60V/300mA
- 封装形式： SOT-23-3
- 工作电压： 60V/300mA
- 备注： 适合用作负载开关或PWM应用
- 品牌： UTC(友顺)
- 产品参数
- 型号： 2N7002G-AE2-R
- 功能介绍： 2N7002G-AE2-R场效应管(MOSFET) N沟道 60V/300mA
- 封装形式： SOT-23-3
- 工作电压： 60V/300mA
- 备注： 适合用作负载开关或PWM应用
- 品牌： UTC(友顺)
2N7002G-AE2-R 场效应管(MOSFET) > N沟道 60V 300mA >
描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：300mA
功率(Pd)：200mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@300m,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA N沟道,60V,0.3A,7.5Ω@10V
该UTC2N7002采用先进的技术，提供优良的RDS(ON)，低栅极电荷和低栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。
特点
低Ros(oN)的高密度电池设计-压控小信号开关
坚固可靠
高饱和电流能力
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IU5208
IU5208,30V保护,20W快充,1.3A电流 3节锂电池充电
EQA16
3.6-10V
当电池电压 VBAT<8.4V 时,不申请快充,只是以 5V 输入充电；当电池电压 8.4V<=VBAT<10.5V 时，会尝试申请 7V 输入快充； 当电池电压 VBAT>=10.5V 后，会尝试申请 9V 输入快充； 如果不能成功申请快充输入,会一直以 5V 输入来充电；
IU5207
IU5207支持20W快充的2节串联锂电池升压充电芯片
EQA-16
3.6V-8V
集成30V OVP,、支持20W快充、最大2A充电电流NTC及使能功能,2节串联锂电升压充电管理芯片
IU5200
IU5200支持QC2.0快充协议，升降型1-4节锂电池3A充电IC
QFN-32
3.6~21V
集成30V OVP功能, 自动申请快充输入,支持I2C接口, 3A充电电流, 1-4节锂电池, 升降压充电芯片
IU8202
IU8202差分输入、支持大动态信号输出、超低静态功耗5μVRMS超低底噪, 400mW单声道高性能音频驱动芯片
DFN-8(1.6*1.6)
2.5V-5.5V
PVDD=3.6V: PO=200mW/RL=16Ω; PO=180mW/RL=32Ω
CONTACT US
7X24小时电话 周一至周六 9:00-18:00
商务合作：13537582900
投诉建议：18719038613
ADDRESS
电话：0755-25880440 传真：0755-25880441
公司地址：深圳市福田区竹子林联泰大厦1207室
邮箱：sales@coetec.com
©2022版权深圳市科泰微科技有限公司
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