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12N65L-TF1-T（ML)场效应管12A/650V直流功率MOSFET

场效应晶体管

科泰微科技代理UTC友顺12N65L-TF1-T场效应管12A/650V直流功率MOSFET是N沟道增强型功率场效应晶体管，这是通过使用UTC的专有，平面条纹和DMOS技术生产，在能量和交流模式下为了使状态电阻最小化，提供优越的开关性能和承受高能量脉冲

场效应晶体管

  • 型号： 12N65L-TF1-T
  • 功能介绍： 12N65L-TF1-T（ML)场效应管(MOSFET)
  • 封装形式： TO-220F-1
  • 工作电压： 12A、650V直流功率
  • 备注： 罗斯ON<0.85欧姆@VGs=10V，lo=6.0A超低栅极电荷(典型42nC)低反向传输电容
  • 品牌： UTC

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  • 产品参数
  • 型号： 12N65L-TF1-T
  • 功能介绍： 12N65L-TF1-T（ML)场效应管(MOSFET)
  • 封装形式： TO-220F-1
  • 工作电压： 12A、650V直流功率
  • 备注： 罗斯ON<0.85欧姆@VGs=10V，lo=6.0A超低栅极电荷(典型42nC)低反向传输电容
  • 品牌： UTC

12N65L-TF1-T（ML)  场效应管(MOSFET)  12A、650V直流功率MOSFET  TO-220F-1


描述

UTC12N65是N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)这是通过使用UTC的专有，平面条纹和DMOS技术生产

这些器件适用于高效率的开关电源。在能量和交流模式下为了使状态电阻最小化，提供优越的开关性能和承受高能量脉冲，先进的技术得到了特别的发展。


特点

罗斯ON<0.85欧姆@VGs=10V，lo=6.0A超低栅极电荷(典型42nC)低反向传输电容(CRss=典型的25pF)快速切换能力

指定能量“改进的dv/dt能力，高坚固性



上一个 : 2SD1624G-S-AB3,三极管(BJT)大电流开关 下一个 : 2N7002G-AE2-R场效应管(MOSFET)
12N65L-TF1-T（ML)场效应管12A/650V直流功率MOSFET
科泰微科技代理UTC友顺12N65L-TF1-T场效应管12A/650V直流功率MOSFET是N沟道增强型功率场效应晶体管，这是通过使用UTC的专有，平面条纹和DMOS技术生产，在能量和交流模式下为了使状态电阻最小化，提供优越的开关性能和承受高能量脉冲
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