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CS5290E内置电容升压AB/D切换5.2W单声道,GF类音频功放IC,CS5290E是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类单声道音频功放,可以为4Q的负载提供最高5.2W的连续功率;CS5290E芯片内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件的数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下消除功放对系统的干扰;CS5290E具有独特的防破音(NCN)功能
音频功放 功放IC D类功放IC AB类功放IC 升压充电管理IC
概要
CS5290E是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类单声道音频功放,可以为4Q的负载提供最高5.2W的连续功率;CS5290E芯片内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件的数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下消除功放对系统的干扰;CS5290E具有独特的防破音(NCN)功能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益,实现更加舒适的听觉感受CS5290E的外围只有低成本的阻容器件在以鲤电池供电的移动式音频设备中,CS5290E是理想的音频子系统的功放解决方案CS5290E的全差分架构和极高的PSRR有效地提高了CS5290E对 RF噪声的抑制能力。另外CS5290E内置了过流保护,和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。CS5290E提供了ESOP10的封装类型其额定的工作温度范围为-40°C至85°C。
封装
ESOP10L
特征
集成ChargePump升压模块集成AB类D类两种工作模式GF类音频功放
输出功率
Po at VBAT= 5.0V,RL=4欧+33uH
THD+N=10% 5.2W(NCN OFF@D MODE)THD+N=1%4.3W(NCN OFF@D MODE)Po at VBAT =4.2V,RL=4欧+33uH
THD+N=10% 4.8W(NCN OFF@D MODE)THD+N=1%4.1W(NCN OFF@D MODE)Po at VBAT= 3.6V,RL=4欧+33uH
THD+N=10% 3.45W(NCN OFF@D MODE)THD+N=1%3.00W(NCN OFF@D MODE)
输入电压范围:2.7~5.5V
关断电流:<1pA
待机电流:15mA
D类调制频率:300KHz
防破音模式开关
AERC专利技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力优异的“噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力高的电源抑制比(PSRR): 在217HZ下为-80dB过温保护,短路保护,过压保护
应用
蓝牙音箱便携式音频设备




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