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UT3N06G-AE3-R三极管/场效应管(MOSFET)
场效应晶体管科泰微代理UTC友顺 UT3N06G-AE3-R是一款 N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA N沟道,60V,3A,90mΩ@10V
场效应晶体管
- 型号： UT3N06G-AE3-R
- 功能介绍： 三极管/MOS管/晶体管/场效应管(MOSFET)
- 封装形式： SOT-23
- 工作电压： N沟道 漏源电压(Vdss)：60V
- 备注： 漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW
- 品牌： 科泰微代理UTC
- 产品参数
- 型号： UT3N06G-AE3-R
- 功能介绍： 三极管/MOS管/晶体管/场效应管(MOSFET)
- 封装形式： SOT-23
- 工作电压： N沟道 漏源电压(Vdss)：60V
- 备注： 漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW
- 品牌： 科泰微代理UTC
科泰微代理UTC友顺 UT3N06G-AE3-R 三极管/MOS管/晶体管/场效应管(MOSFET)
UT3N06G-AE3-R是一款 N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA N沟道,60V,3A,90mΩ@10V
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IU5208
IU5208,30V保护,20W快充,1.3A电流 3节锂电池充电
EQA16
3.6-10V
当电池电压 VBAT<8.4V 时,不申请快充,只是以 5V 输入充电；当电池电压 8.4V<=VBAT<10.5V 时，会尝试申请 7V 输入快充； 当电池电压 VBAT>=10.5V 后，会尝试申请 9V 输入快充； 如果不能成功申请快充输入,会一直以 5V 输入来充电；
IU5207
IU5207支持20W快充的2节串联锂电池升压充电芯片
EQA-16
3.6V-8V
集成30V OVP,、支持20W快充、最大2A充电电流NTC及使能功能,2节串联锂电升压充电管理芯片
IU5200
IU5200支持QC2.0快充协议，升降型1-4节锂电池3A充电IC
QFN-32
3.6~21V
集成30V OVP功能, 自动申请快充输入,支持I2C接口, 3A充电电流, 1-4节锂电池, 升降压充电芯片
IU8202
IU8202差分输入、支持大动态信号输出、超低静态功耗5μVRMS超低底噪, 400mW单声道高性能音频驱动芯片
DFN-8(1.6*1.6)
2.5V-5.5V
PVDD=3.6V: PO=200mW/RL=16Ω; PO=180mW/RL=32Ω
CONTACT US
7X24小时电话 周一至周六 9:00-18:00
商务合作：13537582900
投诉建议：18719038613
ADDRESS
电话：0755-25880440 传真：0755-25880441
公司地址：深圳市福田区竹子林联泰大厦1207室
邮箱：sales@coetec.com
©2022版权深圳市科泰微科技有限公司
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